巴斯夫創(chuàng)造出一種先進(jìn)的電鍍銅化學(xué)品，可滿足現(xiàn)今及未來(lái)芯片科技的需求。巴斯夫與IBM于2007年6月開(kāi)始這一聯(lián)合開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，這項(xiàng)創(chuàng)新的化學(xué)品解決方案是其直接成果。這種解決方案的表現(xiàn)超越了市場(chǎng)上現(xiàn)有的其它化學(xué)品。 巴斯夫創(chuàng)造用于集成電路的先進(jìn)電鍍銅化學(xué) 兩家公司正擴(kuò)展他們的合作計(jì)劃，以確定量產(chǎn)所需的參數(shù)。相關(guān)的技術(shù)、化學(xué)品和材料預(yù)計(jì)可于2010年中期上市供應(yīng)。 巴斯夫全球電子材料業(yè)務(wù)部研發(fā)部門的資深經(jīng)理兼該項(xiàng)目負(fù)責(zé)人DieterMayer表示：“我們為這一創(chuàng)新的化學(xué)品感到興奮無(wú)比。巴斯夫與IBM團(tuán)隊(duì)選擇了一種新的方式，通過(guò)對(duì)于沉積銅物理特性的了解來(lái)設(shè)計(jì)分子添加劑系統(tǒng)。利用巴斯夫與IBM強(qiáng)大的資源，我們已經(jīng)克服了在電鍍銅方面的主要挑戰(zhàn)，朝著制造更小、更快、更可靠芯片的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步?！?實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷的電導(dǎo)線沉積是成功沉積銅工藝最關(guān)鍵的條件。在電鍍銅沉積工藝中，傳統(tǒng)的等向性充填(confmalfill)會(huì)在形體的上、下、外圍產(chǎn)生同樣的銅沉積率，形成接縫及缺陷。通過(guò)采用巴斯夫的化學(xué)品可以實(shí)現(xiàn)快速的充填，一般稱為“超填孔(superfill)”，可以將銅快速的充填至細(xì)小的通孔及溝槽，制造出無(wú)缺陷的銅導(dǎo)線。通過(guò)超填充的方式，底部的銅沉積率會(huì)比頂部及外圍更高。 銅導(dǎo)線可顯著改善芯片效能，這種高傳導(dǎo)性金屬的沉積是建構(gòu)多層互連結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵性工藝。時(shí)下最先進(jìn)的芯片技術(shù)被稱為32納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，而下一代的22納米技術(shù)預(yù)期將于2011年推出。當(dāng)芯片尺寸越來(lái)越小，互連結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，要制造出高性能的芯片就更需要專門的化學(xué)知識(shí)。同時(shí)，純熟完善的化學(xué)工藝解決方案也是必不可少的。 巴斯夫的電鍍銅化學(xué)品已經(jīng)可以應(yīng)用在32納米和22納米的芯片技術(shù)中，能明顯改善芯片銅導(dǎo)線的可靠性，提升芯片的性能和質(zhì)量。
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